[논문]Interface-alloy epitaxial heterojunctions

doi:10.1016/0038-1101(64)90106-6

Interface-alloy epitaxial heterojunctions

Solid-state electronics, v.7 no.8, 1964년, pp.621 - 622

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Abstract Abrupt epitaxial heterojunctions have been produced by melting the lower-melting-point semiconductor at the interface between two different semiconductors. When the temperature is reduced the melted semiconductor recrystallises, having alloyed into the higher-melting-point semiconductor. Heterojunctions between GaAs and Ge and between GaAs and GaSb have been produced. Kossel line techniques have been used to prove conclusively that the GaAs-Ge heterojunction is single crystal. Similar but less definitive results for the GaAs-GaSb couple indicate that this heterojunction is also single crystal. In the interface alloying the wafers rotate and/or tilt with respect to each other as required for single crystal regrowth, which appears to be the lowest energy method for regrowing. Electron beam microprobing shows that for the GaAs-Ge couple the transition from GaAs to Ge in the alloyed region is not monotonic, while for the GaAs-GaSb couple the transition from As to Sb is abrupt and without structure. As expected from the known electrical activity of Ge in GaAs and Ga and As in Ge the electrical characteristics of the GaAs-Ge heterojunction cannot be explained by simple heterojunction theory. A possible explanation in terms of tunneling through the barrier at the crystal interface is offered for the forward current of the GaAs-GaSb heterojunction which varies as I0 exp(AV).

Abstract

Résumé Des jonctions hétérogènes épitaxiales abruptes ont été faites en faisant fondre le semiconducteur ayant le plus bas point de fusion à l'interface entre deux différents semiconducteurs. Quand la température est réduite, le semiconducteur fondu se recristallise ayant été attiré au semiconducteur ayant le point de fusion le plus élevé. Des jonctions hétérogènes entre l'AsGa et le Ge et entre l'AsGa et le SbGa ont été produites. Les techniques de ligne Kossel ont été employées pour prouver de façon concluante que la jonction hétérogène AsGa-Ge est un cristal simple. Des résultats similaires mais moins concluants pour l'ensemble AsGa-SbGa indiquent que cette jonction hétérogène est aussi un cristal simple. Dans l'alliage d'interface, les tranches tournent et/ou s'inclinent les unes des autres comme le demande le redéveloppement d'un cristal simple, et cela semble être la méthode de redéveloppement à énergie la plus basse. La microsonde è faisceau d'électrons montre que pour l'énsemble AsGa-Ge la transition de l'AsGa au Ge dans la région alliée n'est pas monotone, tandis que pour l'ensemble AsGa-SbGa la transition de l'As à Sb est abrupte et sans structure. Comme on s'attendait en considérant l'activité connue du Ge dans l'AsGa et du Ga et de l'As dans le Ge, les caractéristiques électriques de la jonction hétérogène AsGa-Ge ne peuvent être expliquées par la théorie simple des jonctions hétérogènes. Une explication possible en termes de l'effet tunnel à travers la barrière à l'interface du cristal est offerte pour le courant direct de la jonction hétérogène AsGa-SbGa qui varie selon la formule I0 exp(AV).

참고문헌 (25)

W. Shockley, U.S. Pat. 2, 569, 347 (1951)
Kroemer 45 1535 1957
Solid-State Electron. Anderson 5 341 1962 10.1016/0038-1101(62)90115-6

상세보기
Rediker 51 218 1963
Rutz 51 470 1963
Kroemer 51 1782 1963
IBM J. Res. Dev. Marinace 4 280 1960 10.1147/rd.43.0280

상세보기
IBM J. Res. Dev. Anderson 4 283 1960 10.1147/rd.43.0283

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Jenny 46 959 1958
Solid-State Electron. Goldstein 5 411 1962 10.1016/0038-1101(62)90131-4

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J. Appl. Phys. Richards 34 3418 1963 10.1063/1.1729216

상세보기
Wei 51 946 1963
J. Appl. Phys. Hanneman 33 1429 1962 10.1063/1.1728749

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James 1958
6 1960
Phys. Rev. Chynoweth 121 684 1961 10.1103/PhysRev.121.684

상세보기
Phys. Rev. Meyerhoffer 126 1329 1962 10.1103/PhysRev.126.1329

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Oldham 1963
Phys. Rev. Sommers 124 1101 1961 10.1103/PhysRev.124.1101

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Price 99 1962 Proceedings of the Conference on the Physics of Semiconductors
Bohm 268 1951
R.C. Sirrine, J. Electrochem. Soc. To be published
J. Appl. Phys. Calawa 34 1660 1963 10.1063/1.1702651

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Phys. Stat. Solidi Deutsch 3 1001 1963 10.1002/pssb.19630030605

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W. Lindley. Private communication

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

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용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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