[논문]Measurements on the depletion layer properties of planar diodes

doi:10.1016/0038-1101(69)90109-9

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[해외논문] Measurements on the depletion layer properties of planar diodes

Solid-state electronics, v.12 no.7, 1969년, pp.539 - 546

Wilson, P.R. (A.E.I. Semiconductors Ltd., Carholme Road, Lincoln, England)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract Experimental results are reported for the capacitance-voltage (C-V) relationships of square, circular and PIN planar diodes and for plane diodes. These results show the predicted influence of the curved regions of the junctions. Experimental values of the built in voltage also agree with theoretical values for diffused junctions. A sectioned planar diode was also examined using a scanning electron microscope to determine the movement of the depletion region under conditions of reverse bias. The results are in reasonable agreement with theoretical values.

Abstract

Résumé Les résultats expérimentaux sont reportés pour les relations capacité-tension des diodes carrées, circulaires et PIN planes et pour des diodes planes. Ces résultats montrent l'influence prédite des régions courbées des jonctions. Les valuers expérimentales de la tension induite s'accordent aux valeurs théoriques des jonctions diffusées. Une diode plane sectionnée a aussi été examinée en employant un microscope à balayage électronique pour déterminer le mouvement de la région d'épuisement sous des conditions de polarisation inverse. Ces résultats sont en bon accord avec les valeurs théoriques.

참고문헌 (8)

Solid-St. Electron. Wilson 11 1968 10.1016/0038-1101(68)90051-8

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Solid-St. Electron. Lee 10 1105 1967 10.1016/0038-1101(67)90130-X

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Bell Syst. tech. J. Irvin 41 387 1962 10.1002/j.1538-7305.1962.tb02415.x

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P.R. Wilson-to be published
Microelectron & Reliab. Thornton 5 291 1966 10.1016/0026-2714(66)90157-0

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Proc. IEEE Everhart 52 1642 1964 10.1109/PROC.1964.3460

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IBM Jl Res. Dev. Kennedy 9 179 1965 10.1147/rd.93.0179

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J. appl. Phys. MacDonald 38 3685 1967 10.1063/1.1710195

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