다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
Materials science and engineering, v.10, 1972년, pp.169 - 174
Horowitz, S.J. , Blech, I.A.
AI-Helper
The rate of hole formation due to electromigration in Al/Cu/Al films (with an average composition of 94% Al-6% Cu) was compared with the rate in pure Al control films by observation in the transmission electron microscope at current densities of 1-2x106 A/cm2. In both the Al/Cu/Al and the Al control...
Die Bildungsgeschwindigkeit von Lochern in Al/Cu/Al-Schichten (mittlere Zusammensetzung 94% Al-6% Cu) als Folge des Elektrotransports wurde bei Stromdichten von 1-2x106 A/cm2 durch Beobachtung im Elektronenmikroskop gemessen und mit der Lochbildungsgeschwindigkeit in Kontrollproben aus reinem Al verglichen. Sowohl in den Al/Cu/Al-Proben als auch in den Al-Kontrollproben folgt die Lochbildungsgeschwindigkeit einer Arrheniusbeziehung mit Aktivierungsenergien von 1,1 eV fur Al/Cu/Al und 0,63 eV fur Al. Im untersuchten Temperaturbereich (175oC-350oC) fuhrte der Kupferanteil zu einer Reduzierung der Lochbildungsgeschwindigkeit um einen Faktor 10-100.
La formation de cavites, produite par les phenomenes d'electromigration dans des films Al/Cu/Al (dont la composition moyenne etait de 94% Al et 6% Cu), a ete etudiee au moyen d'observations par microscopie electronique en transmission avec des densites de courant de 1 a 2 x 106 A/cm2. La vitesse de formation de ces cavites a ete comparee a celle que l'on mesure dans des films temoins en aluminium pur. On observe que dans les films Al/Cu/Al ainsi que dans les temoins Al cette vitesse verifie une relation d'Arrhenius. L'energie d'activation est de 1,1 eV dans Al/Cu/Al et de 0,63 eV dans Al. Dans le domaine de temperature etudie, 175 a 350oC, l'addition de Cu a Al a pour effet de diviser la vitesse de formation des cavites par un facteur compris entre 10 et 100.
J. Appl. Phys. Blech 40 485 1969 10.1063/1.1657425
J. Appl. Phys. Berenbaum 42 880 1971 10.1063/1.1660116
Appl. Phys. Letters Ghate 11 14 1967 10.1063/1.1754940
Appl. Phys. Letters Rosenberg 12 201 1968 10.1063/1.1651951
IBM J. Res. Develop. Ames 14 461 1970 10.1147/rd.144.0461
Met. Trans. d'Heurle 2 683 1971 10.1007/BF02662722
Rosenberg 1970 Proc. Europhysics Conf. Atomic Transport in Solids and Liquids
Appl. Phys. Letters Gangulee 19 76 1971 10.1063/1.1653828
IBM J. Res. Develop. Shine 1971
J. Phys. Chem. Solids Huntington 20 76 1961 10.1016/0022-3697(61)90138-X
J. Phys. Chem. Solids Penney 25 335 1964 10.1016/0022-3697(64)90112-X
J. Appl. Phys. Ohring 42 2563 1971 10.1063/1.1660603
Berenbaum 1971 Proc. Reliability Phys. Symp.
Appl. Phys. Letters Rosenberg 16 27 1970 10.1063/1.1653018
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.