[논문]Enhanced performance of organic light emitting device by insertion of conducting/insulating WO3 anodic buffer layer

doi:10.1016/j.synthmet.2005.03.019

[해외논문] Enhanced performance of organic light emitting device by insertion of conducting/insulating WO3 anodic buffer layer

Synthetic metals, v.151 no.2, 2005년, pp.141 - 146

Li, Jingze (Venture Business Laboratory, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan) , Yahiro, Masayuki (Venture Business Laboratory, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan) , Ishida, Kenji (Venture Business Laboratory, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan) , Yamada, Hirofumi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Nishikyo-ku, Kyoto 615-8510, Japan) , Matsushige, Kazumi (Venture Business Laboratory, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractTungsten oxide (WO3) ultrathin film with high optical transparency is deposited on indium–tin oxide glass as hole injection layer of organic light emitting device (OLED). As-deposited WO3 film is amorphous and insulating, wherein the buffer thickness of 0.5nm shows enhancement of hole injection in OLED. The device performance is further enhanced after the as-deposited WO3 film is thermally treated, which is ascribed to lowering of the effective energy barrier height for hole injection. The annealed buffer layer is identified to be a semiconductor with crystalline structure. Although the thickness of the annealed WO3 buffer layer is up to 1.5nm, the device performance is still better than that of unmodified OLED. The difference in anodic buffer thickness dependent device performance for both types of WO3 films is determined by the electrical property.

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