선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
연합인증
연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
Oxide-silicon-oxide buffer structure for ultralow temperature polycrystalline silicon thin-film transistor on plastic substrate
IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, v.27 no.7, 2006년, pp.579 - 581
Kim, Yong-Hae (Basic Res. Lab., Korea Electron. & Telecommun. Res. Inst., Daejeon, South Korea) , Chung, Choong-Heui , Moon, Jaehyun , Kim, Gi Heon , Park, Dong-Jin , Kim, Dae-Won , Lim, Jung Wook , Yun, Sun Jin , Song, Yoon-Ho , Lee, Jin Ho
Abstract
A novel oxide-silicon-oxide buffer structure to prevent damage to a plastic substrate in an ultralow temperature (<120°C) polycrystalline silicon thin-film transistor (ULTPS TFT) process is presented. Specifically, an amorphous silicon film was inserted as an absorption layer into buffer oxide films. The maximum endurable laser energy was increased from 200 to 800 mJ/cm2. The fabricated ULTPS nMOS TFT showed a performance with mobility of 30 cm2/Vs.
참고문헌 (13)
-
Kim, H. J., Im, James S.. New excimer-laser-crystallization method for producing large-grained and grain boundary-location-controlled Si films for thin film transistors. Applied physics letters, vol.68, no.11, 1513-1515.
-
10.1143/JJAP.42.L663
-
Kerrien, G., Hernandez, M., Laviron, C., Sarnet, T., Débarre, D., Noguchi, T., Zahorski, D., Venturini, J., Semeria, M.N., Boulmer, J.. Optical characterization of laser processed ultra-shallow junctions. Applied surface science, vol.208, 277-284.
-
Chung, Choong-Heui, Ko, Young-Wook, Kim, Yong-Hae, Sohn, Choong-Yong, Chu, Hye Yong, Lee, Jin Ho. Improvement in performance of transparent organic light-emitting diodes with increasing sputtering power in the deposition of indium tin oxide cathode. Applied physics letters, vol.86, no.9, 093504-.
-
Serikawa, Tadashi, Omata, Fujio. High-Mobility Poly-Si Thin Film Transistors Fabricated on Stainless-Steel Foils by Low-Temperature Processes Using Sputter-Depositions. Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters, vol.39, no.5, L393-.
-
Gosain, Dharam Pal, Noguchi, Takashi, Usui, Setsuo. High Mobility Thin Film Transistors Fabricated on a Plastic Substrate at a Processing Temperature of 110°C. Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters, vol.39, no.a3, L179-.
-
Lemmi, F., Chung, W., Lin, S., Smith, P.M., Sasagawa, T., Drews, B.C., Hua, A., Stern, J.R., Chen, J.Y.. High-performance TFTs fabricated on plastic substrates. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.25, no.7, 486-488.
-
Carey, Paul G., Smith, Patrick M., Theiss, Steven D., Wickboldt, Paul. Polysilicon thin film transistors fabricated on low temperature plastic substrates. Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, vol.17, no.4, 1946-1949.
-
Kim, Y.-H., Sohn, C.-Y., Lim, J.W., Yun, S.J., Hwang, C.-S., Chung, C.-H., Ko, Y.-W., Lee, J.H.. High-Performance Ultralow-Temperature Polycrystalline Silicon TFT Using Sequential Lateral Solidification. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.25, no.8, 550-552.
-
KWON, J. Y.. Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor on Plastic Substrates. IEICE transactions on electronics, vol.e88, no.4, 667-671.
-
Lee, M.J, Judge, C.P, Wright, S.W. Thin film transistors for displays on plastic substrates. Solid-state electronics, vol.44, no.8, 1431-1434.
-
10.1002/0470870508.ch14
-
Kim, Y.H., Chung, C.H., Yun, S.J., Moon, J., Park, D.J., Kim, D.W., Lim, J.W., Song, Y.H., Lee, J.H.. Large-grain polycrystalline silicon film by sequential lateral solidification on a plastic substrate. Thin solid films, vol.493, no.1, 192-196.
관련 콘텐츠
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
- 문의처: helpdesk@kisti.re.kr
- 전화: 080-969-4114
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
섹션별 컨텐츠 바로가기
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.