[논문]Influence of charged particle bombardment and sputtering parameters on the properties of HfO2 films prepared by dc reactive magnetron sputtering

doi:10.1016/j.apsusc.2006.04.013

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[해외논문] Influence of charged particle bombardment and sputtering parameters on the properties of HfO2 films prepared by dc reactive magnetron sputtering

Applied surface science, v.253 no.4, 2006년, pp.2143 - 2147

Liu, X. , Li, D.

Abstract ▼ AI-Helper

HfO2 films prepared on glass substrates by dc reactive magnetron sputtering in an Ar+O2 atmosphere are investigated. The films are polycrystallized with a pure monoclinic phase, and the crystallization strongly relates to the technology environment. Charged particle bombardment mainly caused by negative oxygen ions during sputtering on the films results in rougher surface morphology and worse crystalline property. Influence of sputtering pressure, substrate temperature and Ar:O2 flow ratio is studied. The main orientations of the films are (-111) and (111). The (-111) orientation is stable, but (111) orientation is very sensitive to the sputtering condition, and it can be suppressed effectively by introducing charged particle bombardment, lowing sputtering pressure and increasing oxygen concentration.

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참고문헌 (10)

IEEE Trans. Electron. Devices Suzuki 49 1005 2002 10.1109/TED.2002.1003720

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J. Non-Cryst. Solids Nam 303 139 2002 10.1016/S0022-3093(02)00976-6

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Surf. Sci. He 576 67 2005 10.1016/j.susc.2004.11.042

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Mater. Sci. Eng. B Pereira 109 89 2004 10.1016/j.mseb.2003.10.053

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Thin Solid Films Kuo 213 257 1992 10.1016/0040-6090(92)90291-I

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Solid State Technol. Class 25 12 55 1982

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Appl. Phys. Lett. Ngaruiya 85 5 748 2004 10.1063/1.1777412

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Appl. Surf. Sci. Hu 220 367 2003 10.1016/S0169-4332(03)00843-2

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Solid State Ionics Gies 176 1627 2005 10.1016/j.ssi.2005.02.012

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