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[해외논문] Interdot coupling in a Si-based coupled double dot system for spin qubit gate
Applied physics letters, v.91 no.5, 2007년, pp.053114 -
Shin, S. J. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Lee, J. J. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Chung, R. S. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Kim, M. S. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Park, E. S. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Choi, J. B. (Chungbuk National University Department of Physics and Institute for NanoScience & Technology, , Cheongju 361-763, Korea) , Kim, N. S. (Chungbuk National University Department of Electrical and Electronics Engineering, , Cheongju 361-763, Korea) , Park, K. H. (Chungbuk National University Department of Electrical and Electronics Engineering, , Cheongju 361-763, Korea) , Lee, S. D. (Korea Research Institute for Standard &) , Kim, N. , Kim, J. H.
Abstract
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A Si-based coupled double dot has been studied for its application to two-qubit gate. The authors manipulated electron number of each dot by using its adjacent side gate and finally observed a honeycomb charge-stability pattern, demonstrating interdot capacitive coupling. From the honeycomb diagram ...
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