[논문]Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films

Sugawara, K.; Kawamura, M.; Abe, Y.; Sasaki, K.

doi:10.1016/j.mee.2007.05.050

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[해외논문] Comparison of the agglomeration behavior of Ag(Al) films and Ag(Au) films

Microelectronic engineering, v.84 no.11, 2007년, pp.2476 - 2480

Sugawara, K. (Department of Materials Science, Kitami Institute of Technology, 165 Koen-cho, Kitami, Hokkaido 090-8507, Japan) , Kawamura, M. , Abe, Y. , Sasaki, K.

Abstract ▼ AI-Helper

It is essential to suppress agglomeration of Ag films caused by thermal treatment for their successful application as new metallization materials. Co-sputtered Ag(Al) and Ag(Au) films were investigated, with regard to their change in morphology and electrical resistivity after vacuum annealing. As a result, agglomeration of the Ag(Al) film (Al: 4.3at.%) was not recognized even after annealing at 600oC. However, void formation followed by de-wetting was observed for the Ag(Au) film after annealing, similar to that for a pure Ag film. The morphological change was accompanied by an increase in the resistivity of the Ag(Au) films with annealing temperature. On the other hand, the resistivity of the Ag(Al) films did not increase by annealing at temperatures from 400 to 600oC. However, the film with the highest Al content, which was most resistive to agglomeration, had too high resistivity for use as a metallization material. By analysis of the Auger depth profile, the presence of very thin oxide layers at the surface of the film and at the interface with the substrate was confirmed for Ag(Al) films after annealing. This was considered to be the reason for the large difference in agglomeration behavior between the Ag(Au) and Ag(Al) films.

주제어

참고문헌 (11)

Appl. Phys. Lett. Wu 84 2838 2004 10.1063/1.1703844

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Lide 2003 CRC Handbook of Chemistry and Physics
Appl. Phys. Lett. Hauder 78 838 2001 10.1063/1.1345801

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J. Appl. Phys. Zeng 81 7773 1997 10.1063/1.365386

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J. Crys. Growth Aswal 256 201 2003 10.1016/S0022-0248(03)01213-2

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Microelectron. Eng. Glichman 70 495 2003 10.1016/S0167-9317(03)00423-4

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J. Appl. Phys. Kim 94 5393 2003 10.1063/1.1609646

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J. Appl. Phys. Kim 95 5181 2004
Microelectron. Eng. Kawamura 82 277 2005 10.1016/j.mee.2005.07.035

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Massalski vol. 1 1990
J. Vac. Sci. Technol. B Barmak 24 2485 2006 10.1116/1.2357744

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