[논문]Ballistic electron and hole transport through individual molecules

Bobisch, C A; Bannani, A; Bernhart, A; Zubkov, E; Weyers, B; Moeller, R

doi:10.1088/1742-6596/100/5/052064

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[해외논문] Ballistic electron and hole transport through individual molecules

Journal of physics. Conference series, v.100 no.5, 2008년, pp.052064 -

Bobisch, C A (University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany) , Bannani, A (Institute of Materials Research and Engineering (IMRE), 3 Research Link, Singapore 117602, Singapore) , Bernhart, A (University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany) , Zubkov, E (University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany) , Weyers, B (University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany) , Moeller, R (University of Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany)

Abstract ▼ AI-Helper

Recently the ballistic transport through organic molecules could be analyzed with submolecular resolution by an extension of ballistic electron emission microscopy. In this work we compare the results of ballistic transport of electrons and holes through C60 molecules deposited onto a Bismuth/Silicon Schottky diode. The study of hole transmission also exhibits molecular a resolved pattern in the transmission images showing the molecular periodicity of the C60 layer.

참고문헌 (15)

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Bannani, Amin, Bobisch, Christian, Möller, Rolf. Ballistic Electron Microscopy of Individual Molecules. Science, vol.315, no.5820, 1824-1828.

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2004 10.1088/0957-4484/15/12/022 15 1818 0957-4484 Nanotechnology Troadec C

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2007 10.1088/0957-4484/18/5/055606 18 055606 0957-4484 Nanotechnology Bobisch C

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Jnawali, G., Hattab, H., Krenzer, B., Horn von Hoegen, M.. Lattice accommodation of epitaxial Bi(111) films on Si(001) studied with SPA-LEED and AFM. Physical review. B, Condensed matter and materials physics, vol.74, no.19, 195340-.

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2006 10.1088/1367-2630/8/9/190 8 190 1367-2630 New J. Phys. Krenzer B

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Reuter, K., Garcia-Vidal, F. J., de Andres, P. L., Flores, F., Heinz, K.. Ballistic Electron Emission Microscopy on $ \mathrm{CoSi}_{2}/\mathrm{Si}(111)$ Interfaces: Band Structure Induced Atomic-Scale Resolution and Role of Localized Surface States. Physical review letters, vol.81, no.22, 4963-4966.

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