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NTIS 바로가기Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.9 no.2, 2009년, pp.551 - 555
Rha, S.K. (Department of Information Communication Engineering, Hanbat National University, Daejeon 305-719, Republic of Korea) , Chou, T.P. (Department of Information Communication Engineering, Hanbat National University, Daejeon 305-719, Republic of Korea) , Cao, G. , Lee, Y.S. , Lee, W.J.
Silicon dioxide films were prepared on p-type Si (100) substrates by sol electrophoretic deposition (EPD) using tetraethylorthosilicate (TEOS) at low temperature. According to the variation of sol dipping conditions, we estimated the characteristics of SiO2 films, such as composition, surface morpho...
Nature Bach 395 583 1998 10.1038/26936
Opt. Eng. Fujikake 41 9 2192 2002 10.1117/1.1496112
Displays Kim 25 167 2004 10.1016/j.displa.2004.09.008
Thin Solid Films Chung 460 291 2004 10.1016/j.tsf.2004.01.050
Appl. Phys. Lett. Kim 87 051917 2005 10.1063/1.2007856
Thin Solid Films Brotherton 337 188 1999 10.1016/S0040-6090(98)01176-6
Mater. Sci. Eng. B Quli 67 139 1999 10.1016/S0921-5107(99)00172-5
Thin Solid Films Yoon 383 34 2001 10.1016/S0040-6090(00)01790-9
J. Cryst. Growth Zhang 260 102 2004 10.1016/j.jcrysgro.2003.07.035
Mater. Lett. Shetty 59 872 2005 10.1016/j.matlet.2004.11.034
J. Phys. Chem. B Cao 108 19921 2004 10.1021/jp040492s
J. Phys. Chem. B Takahashi 109 48 2005 10.1021/jp044772j
Appl. Phys. Lett. Takahashi 86 1 2005
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