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[국내논문] HVPE방법에 의해 Si(111) 기판위에 성장된 SAG/ELO GaN의 시간에 따른 성장형태 변화
Investigation of the Growth Pattern in SAG/ELO GaN Grown on a Si(111) Substrate by Using HVPE

새물리 = New physics, v.56 no.3, 2008년, pp.297 - 302  

신대현 (한국표준과학연구원 전략기술연구부 나노바이오융합연구단) ,  문진영 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) ,  권해용 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) ,  신민정 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) ,  배민건 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) ,  이삼녕 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공)

초록
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본 연구에서는 HVPE (hydride vapor phase epitaxy)방법을 사용하여 GaN 버퍼층 위에 선택성장 (SAG, selective area growth)과 에피측면성장 (ELO, epitaxial lateral overgrowh)방법으로 GaN를 성장시켰고 이때 시간에 따른 성장형태의 변화를 살펴 보고자 하였다. 기판은 Si(111)을 사용하였고 GaN 버퍼층을 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)방법으로 성장시킨 후 그위에 SiO2를 증착시키고 포토리소그라피 과정을 통해 선형 마스크 패턴을 형성시켰다. 그 다음 HVPE장치를 이용하여 GaN를 성장시켰다. SEM (scanning electron microscopy) 측정 결과 초기 성장 형태는 사다리꼴 모양으로서 그 후 점차 평탄화 과정을 거침을 볼 수 있었고 SiO2 마스크 윗 부분에 평평한 면 위에 볼록한 형태를 가진 공간 (void)이 관찰되었으며 표면에서는 육방정계 형태의 섬 (island)이 관찰 되었다. 또한 GaN의 평탄화 과정을 사다리꼴 경사면의 기울기, <1100>방향/<0001>방향의 길이의 비 등을 통해 분석해 보았다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN grown on a Si(111) substrate by using a HVPE (hydride vapor phase epitaxy) facility have been studied, and the variation in growth pattern has been determined at each step. A GaN buffer layer was prepared by using MOCVD (metal...

주제어

#수소기상증착법   #질화칼륨   #선택영역성장법   #에피측면성장법   #HVPE   #GaN   #SAG   #ELO  

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