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NTIS 바로가기새물리 = New physics, v.56 no.3, 2008년, pp.297 - 302
신대현 (한국표준과학연구원 전략기술연구부 나노바이오융합연구단) , 문진영 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) , 권해용 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) , 신민정 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) , 배민건 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공) , 이삼녕 (한국해양대학교 공과대학 나노반도체전공)
Selective area growth (SAG) and epitaxial lateral overgrowth (ELO) of GaN grown on a Si(111) substrate by using a HVPE (hydride vapor phase epitaxy) facility have been studied, and the variation in growth pattern has been determined at each step. A GaN buffer layer was prepared by using MOCVD (metal...
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