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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.53 no.6, 2008년, pp.3411 - 3415
Kim, Young Min (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701) , Park, Ki-Heung (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701) , Han, Kyoung-Rok (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701) , Choi, Byung-Kil (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701) , Jung, Sang-Goo (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701) , Lee, Byung-Kil (School of Electrical Engineering and Computer Science, Kyungpook National University, Daegu 702-701)
We propose a cell structure with non-overlap source/drain (S/D) (or without S/D) for a NAND flash memory, which utilizes the fringing field from control gates. In this work, a guideline for the cell device design is suggested through extensive device simulations. We considered a cell string with con...
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