[논문]Fabrication of roll imprint stamp for continuous UV roll imprinting process

Hwang, S.Y.; Hong, S.H.; Jung, H.Y.; Lee, H.

doi:10.1016/j.mee.2008.11.055

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Fabrication of roll imprint stamp for continuous UV roll imprinting process

Microelectronic engineering, v.86 no.4/6, 2009년, pp.642 - 645

Hwang, S.Y. (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Anam-dong 5Ka-1, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, Republic of Korea) , Hong, S.H. , Jung, H.Y. , Lee, H.

Abstract ▼ AI-Helper

Recently, nano imprint lithography has been developed for mass production of nano-scale patterns on large-scale substrates. To achieve high throughput and cost reduction, roll-to-roll imprint lithography has been introduced. The roll-to-roll imprint is the suitable process for large area patterning, especially, flexible substrates for display devices. In this study, roll-to-roll imprint stamp is fabricated using poly-vinyl alcohol (PVA) mold and UV curable poly-dimethylsiloxanes (PDMS) resin for continuous roll imprinting process. The PVA mold was chosen since it is flexible and can be dissolved in water. Since the PDMS can form thin SiOx layer on the surface by oxygen plasma treatment, silane based hydrophobic anti-stiction layer can be formed directly on the surface of PDMS. As a result, nano-sized patterns were successfully formed on the flexible PET films by UV roll imprinting with the fabricated roll stamp.

주제어

참고문헌 (14)

Nanotechnology Ahn 16 1874 2005 10.1088/0957-4484/16/9/076

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Appl. Phys. Lett. Chen 90 063111 2007 10.1063/1.2472532

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Jpn. J. Appl. Phys. Hiroshima 46 6391 2007 10.1143/JJAP.46.6391

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J. Vac. Sci. Technol. B Ahn 25 2388 2007 10.1116/1.2798747

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Adv. Mater. Ahn 20 2044 2008 10.1002/adma.200702650

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Jpn. J. Appl. Phys. Ahn 46 5478 2007 10.1143/JJAP.46.5478

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Jpn. J. Appl. Phys. Makela 47 5142 2008 10.1143/JJAP.47.5142

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Appl. Phys. Lett. Ahn 89 213101 2006 10.1063/1.2392960

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Langmuir Jung 21 6127 2005 10.1021/la050021c

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Microelectron. Eng. Lee 77 168 2005 10.1016/j.mee.2004.10.004

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Appl. Phys. Lett. Han 91 123118 2007 10.1063/1.2789735

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Jpn. J. Appl. Phys. Hong 47 3699 2008 10.1143/JJAP.47.3699

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Nano Lett. Ge 5 179 2005 10.1021/nl048618k

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Electron. Mater. Lett. Hwang 4 141 2008

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