InGaN/GaN 청색 발광다이오드구조에서 Photovoltaic 효과가 Photoluminescence 스펙트럼에 미치는 영향에 관한 연구 Strong Influence of Photovoltaic Effects on Photoluminescence Spectra in InGaN/GaN Blue Light-emitting Diodes
InGaN/GaN 청색 발광다이오드 구조에서 Photoluminescence (PL) 측정 시 여기 레이저에 의해 강한 Photovoltaic 효과 (PVE)가 나타남을 관측하였다. InGaN/GaN 양자우물 구조 내의 매우 강한 압전전기장에 의해 PL과 Electroluminescence (EL) 스펙트럼의 세기와, peak 파장의 위치는 인가된 전기장에 따라 매우 민감하게 영향을 받았다. PL 스펙트럼이 PVE에 의해 아주 민감하게 영향을 받고 PVE에 의해 열린회로와 닫힌회로에서 PL 스펙트럼의 peak의 위치와 세기가 크게 다르다는 것을 관측하였다. 일반적인 PL 스펙트럼은 열린회로에서 측정하는데 이때 PVE에 의해 시료구조에 따라 2.29 ~ 2.76 V까지 다르게 나타난다. InGaN/GaN 발광다이오드 구조에서 PL 스펙트럼을 정확히 해석하고 EL과 PL 스펙트럼을 정확히 관련지어 연구하기 위해서는 PVE의 정확한 해석이 반드시 필요함을 알 수 있었다.
InGaN/GaN 청색 발광다이오드 구조에서 Photoluminescence (PL) 측정 시 여기 레이저에 의해 강한 Photovoltaic 효과 (PVE)가 나타남을 관측하였다. InGaN/GaN 양자우물 구조 내의 매우 강한 압전 전기장에 의해 PL과 Electroluminescence (EL) 스펙트럼의 세기와, peak 파장의 위치는 인가된 전기장에 따라 매우 민감하게 영향을 받았다. PL 스펙트럼이 PVE에 의해 아주 민감하게 영향을 받고 PVE에 의해 열린회로와 닫힌회로에서 PL 스펙트럼의 peak의 위치와 세기가 크게 다르다는 것을 관측하였다. 일반적인 PL 스펙트럼은 열린회로에서 측정하는데 이때 PVE에 의해 시료구조에 따라 2.29 ~ 2.76 V까지 다르게 나타난다. InGaN/GaN 발광다이오드 구조에서 PL 스펙트럼을 정확히 해석하고 EL과 PL 스펙트럼을 정확히 관련지어 연구하기 위해서는 PVE의 정확한 해석이 반드시 필요함을 알 수 있었다.
We investigated the photovoltaic effect on the photoluminescence spectra from InGaN/GaN blue light emitting diodes (LEDs). For a practical characterization of InGaN/GaN LEDs, the difference in the peak positions between the photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL) spectra is one of th...
We investigated the photovoltaic effect on the photoluminescence spectra from InGaN/GaN blue light emitting diodes (LEDs). For a practical characterization of InGaN/GaN LEDs, the difference in the peak positions between the photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL) spectra is one of the crucial issues and should be interpreted accurately. In this study, we report that emission spectra are sensitively affected by the photovoltaic effect. The transition energies and intensities of the LED devices in an open-circuit condition are significantly different from those in a short-circuit condition. The PL spectrum in an open-circuit condition, which is most usual, is influenced strongly by the photovoltaic effect, where the photovoltages range from 2.3 to 2.75 V, depending on specific sample structures. This result shows that photovoltaic effects should be taken into account properly in order both to correlate PL with EL spectra and to interpret PL spectra correctly.
We investigated the photovoltaic effect on the photoluminescence spectra from InGaN/GaN blue light emitting diodes (LEDs). For a practical characterization of InGaN/GaN LEDs, the difference in the peak positions between the photoluminescence (PL) and the electroluminescence (EL) spectra is one of the crucial issues and should be interpreted accurately. In this study, we report that emission spectra are sensitively affected by the photovoltaic effect. The transition energies and intensities of the LED devices in an open-circuit condition are significantly different from those in a short-circuit condition. The PL spectrum in an open-circuit condition, which is most usual, is influenced strongly by the photovoltaic effect, where the photovoltages range from 2.3 to 2.75 V, depending on specific sample structures. This result shows that photovoltaic effects should be taken into account properly in order both to correlate PL with EL spectra and to interpret PL spectra correctly.
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