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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.53 no.1, 2008년, pp.150 - 153
Raman scattering of ZnSe layers grown on nearly lattice matched InxGa1-xAs substrates (x = 0 - 0.092) by using molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated. The Raman shift of the ZnSe longitudinal optical (LO) phonon stays nearly constant while the line width Γ increases with increasing indi...
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