[논문]Al-induced low-temperature crystallization of Si1−Ge (0 <x< 1) by controlling layer exchange process

Kurosawa, M.; Sadoh, T.; Miyao, M.

doi:10.1016/j.tsf.2009.10.082

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[해외논문] Al-induced low-temperature crystallization of Si1−Ge (0

Thin solid films, v.518 no.6 suppl.1, 2010년, pp.S174 - S178

Kurosawa, M. (Department of Electronics, Kyushu University, Japan) , Sadoh, T. , Miyao, M.

Abstract ▼ AI-Helper

Low-temperature (<450oC) Al-induced crystallization (AIC) of a-Si1-xGex (0
Low-temperature (<450oC) Al-induced crystallization (AIC) of a-Si1-xGex (020μm) was achieved for samples with the whole Ge fractions. These findings will be a powerful tool for realizing large poly-SiGe on insulating films for high-efficiency thin-film solar cells and system-in-displays.

Low-temperature (<450oC) Al-induced crystallization (AIC) of a-Si1-xGex (020μm) was achieved for samples with the whole Ge fractions. These findings will be a powerful tool for realizing large poly-SiGe on insulating films for high-efficiency thin-film solar cells and system-in-displays.

Keyword

#SiGe #Al-induced crystallization #Thin-film solar cell #System-in-display

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J. Cryst. Growth Rau 270 396 2004 10.1016/j.jcrysgro.2004.07.034

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Appl. Phys. Lett. Gjukic 85 2134 2004 10.1063/1.1789245

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Phys. Status Solidi C Lechner 1 1131 2004 10.1002/pssc.200404330

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Kurosawa 193 2008 Proc. 4th Int. TFT Conf.

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[논문] 강인성을 개선한 VANET에서의 자율 TDMA 새 창에서 링크보기

용어 설명

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