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[해외논문] Development and Characterization of Metal-Insulator-Metal Capacitors with SiNx Thin Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
Chinese physics letters = 中國物理快報, v.27 no.7, 2010년, pp.078101 -
Cong, Wang (RFIC Center, Kwangwoon University, Seoul 139701, Korea) , Fang, Zhang (RFIC Center, Kwangwoon University, Seoul 139701, Korea) , Nam-Young, Kim (RFIC Center, Kwangwoon University, Seoul 139701, Korea)
Abstract
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We report the fabrication of high breakdown voltage metal-insulator-metal (MIM) capacitors with 200-nm silicon nitride deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition with 0.957 SiH4/NH3 gas mixing rate, 0.9 Torr working pressure, and 60 W rf power at 250° C chamber temperature. Some opt...
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