[논문]THE EFFECT OF a-SiN:H AND a-Si:H SURFACE ROUGHNESS OF TFT BY PE/RACVD

KIM, JIN-EUI; RYU, SANG-HYUK; CHOI, SIE-YOUNG

doi:10.1142/s0217979210066161

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[해외논문] THE EFFECT OF a-SiN:H AND a-Si:H SURFACE ROUGHNESS OF TFT BY PE/RACVD

International journal of modern physics. B, Condensed matter physics, statistical physics, applied physics, v.24 no.15/16 pt.2, 2010년, pp.3107 - 3111

KIM, JIN-EUI (School of Electrical Eng. & Computer Science, Kyungpook National University, 1370 Sanguk-dong, Buk-gu, Daegu 702-701, The Republic Korea) , RYU, SANG-HYUK (School of Electrical Eng. & Computer Science, Kyungpook National University, 1370 Sanguk-dong, Buk-gu, Daegu 702-701, The Republic Korea) , CHOI, SIE-YOUNG (School of Electrical Eng. & Computer Science, Kyungpook National University, 1370 Sanguk-dong, Buk-gu, Daegu 702-701, The Republic Korea)

Abstract ▼ AI-Helper

This paper describes the influence of surface roughness on the mobility of a - SiN : H and a - Si : H . For the a - SiN : H deposited by PECVD, the roughness was 0.832 nm. The a - SiN : H layer composed of (PECVD 150 nm + RACVD 100 nm) had better characteristic of roughness than the a - SiN : H layer (PECVD 250 nm) by 47%. The roughness of the a - Si : H (PECVD 200 nm) deposited on the a - SiN : H layer was 0.803 nm. And the roughness of a - Si : H (RACVD 100 nm + PECVD 100 nm) deposited the a - SiN : H layer is better than the a - Si : H (PECVD 200 nm) by 27%. After depositing the layer of a - SiN : H and a - Si : H at the best condition obtained by the experiments the mobility was measured. The a - Si : H is deposited by the PECVD, the obtained mobility was 0.218 cm 2/V ·sec. The a - Si : H was deposited by the PE/RACVD, the obtained mobility was 0.248 cm 2/V ·sec. The mobility is enhanced by 10% by depositing the a - Si : H layer using the PE/RACVD method.

참고문헌 (6)

Thin Film Transistors Jang J. 2003
Display Engineering Jang J. 1 2000
Journal of Korean Physical Society Bae S. C. 1063 41
Mol. Cryst. Liq. Cryst. Kang J. W. 437 459
Appl. Phys. Park Y. B. 1958 32
J. Mat. Sci. Park Y. B. 519 12

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