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NTIS 바로가기Applied physics letters, v.98 no.10, 2011년, pp.102905 -
Park, In-Sung (Hanyang University Department of Materials Science and Engineering, , Seoul 133-791, Republic of Korea) , Choi, Youngjae (Hanyang University Department of Materials Science and Engineering, , Seoul 133-791, Republic of Korea) , Nichols, William T. (Hanyang University Department of Materials Science and Engineering, , Seoul 133-791, Republic of Korea) , Ahn, Jinho (Hanyang University Department of Materials Science and Engineering, , Seoul 133-791, Republic of Korea)
The effects of water vapor treatment (WVT) on a Ge substrate were investigated in order to understand the improved electrical properties of Pt/HfO2/Ge metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors. The WVT and HfO2 deposition were performed in situ using an atomic layer deposition technique to avoid ai...
J. Appl. Phys. 89 5243 2001 10.1063/1.1361065
Sci. Technol. Adv. Mater. 8 214 2007 10.1016/j.stam.2006.11.018
Solid-State Electron. 52 1266 2008 10.1016/j.sse.2008.04.034
Mater. Today 11 30 2008 10.1016/S1369-7021(07)70350-4
Microelectron. Eng. 86 1571 2009 10.1016/j.mee.2009.03.052
Thin Solid Films 518 S96 2010 10.1016/j.tsf.2009.10.065
J. Electrochem. Soc. 135 961 1988 10.1149/1.2095851
Appl. Phys. Lett. 85 4127 2004 10.1063/1.1812835
Appl. Phys. Lett. 89 112905 2006 10.1063/1.2338751
Appl. Phys. Lett. 76 2244 2000 10.1063/1.126309
Appl. Phys. Lett. 90 163502 2007 10.1063/1.2723074
Appl. Surf. Sci. 123/124 66 1998 10.1016/S0169-4332(97)00511-4
J. Appl. Phys. 92 7168 2002 10.1063/1.1522811
Appl. Phys. Lett. 75 1261 1999 10.1063/1.124661
IEEE Electron Device Lett. 28 976 2007 10.1109/LED.2007.907415
Appl. Phys. Lett. 86 032908 2005 10.1063/1.1854195
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