[논문]Dependence of nonvolatile memory characteristics on curing temperature for polymer memory-cell embedded with Au nanocrystals in poly(N-vinylcarbazole)

Lee, J.D.; Seung, H.M.; Kwon, K.C.; Park, J.g.

doi:10.1016/j.cap.2010.12.037

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Dependence of nonvolatile memory characteristics on curing temperature for polymer memory-cell embedded with Au nanocrystals in poly(N-vinylcarbazole)

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.11 no.2 suppl., 2011년, pp.e25 - e29

Lee, J.D. (National Program Center for Tera-bit-level Nonvolatile Memory Development, HIT 101 Hanyang University, Seoul 133-791, Republic of Korea) , Seung, H.M. , Kwon, K.C. , Park, J.g.

Abstract ▼ AI-Helper

We investigated the dependence of nonvolatile memory characteristics on curing temperature for a polymer nonvolatile 4F2 memory-cell embedded with Au nanocrystals in poly(N-vinylcarbazole) (PVK). The curing temperature is an important factor for determining the size, shape, and isolation presence of Au nanocrystals embedded in the PVK layer. When the curing temperature rises above 300 oC, ∼8-nm spherical Au nanocrystals are uniformly distributed and well isolated. Thus, the nonvolatile memory-cell demonstrated a memory margin of (Ion/Ioff) of 9.8 x 101, retention time of 1 x 105 s and more than 100 program/erase endurance cycles.

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참고문헌 (19)

Nano Lett. Park 9 4 1713 2009 10.1021/nl900429h

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Appl. Phys. Lett. Ma 80 2997 2002 10.1063/1.1473234

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J. Korean Phys. Soc. Park 48 1505 2006

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Nat. Mater. Ouyang 3 918 2004 10.1038/nmat1269

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Appl. Phys. Lett. Lauters 89 013507 2006 10.1063/1.2219338

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Adv. Mater. Chu 17 1440 2005 10.1002/adma.200500225

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J. Therm. Anal. Calorim. Pielichowsjki 4 339 1972 10.1007/BF01911696

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1990 Data Sheet No. 263, Poly (N-vinylcarbazole)
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Adv. Func. Mater. Baek 17 2637 2007 10.1002/adfm.200600892

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Adv. Mater. Ling 17 455 2005 10.1002/adma.200401048

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Polymer Ling 48 5182 2007 10.1016/j.polymer.2007.06.025

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Proc. R. Soc. Lond. A Simmons 301 77 1967 10.1098/rspa.1967.0191

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Sze 2007 Physic of Semiconductor Devices
Curr. Appl. Phys. Seo 10 e32 2010 10.1016/j.cap.2009.12.008

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vol. 925 1999

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