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Scalable High-Performance Phase-Change Memory Employing CVD GeBiTe

IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, v.32 no.8, 2011년, pp.1113 - 1115  

Jinil Lee (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Sunglae Cho (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Dongho Ahn (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Mansug Kang (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Seokwoo Nam (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Ho-Kyu Kang (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea) ,  Chilhee Chung (Semicond. R&D Center, Samsung Electron. Co., Ltd., Yongin, South Korea)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We first present chemical-vapor-deposited GeBiTe (CVD GBT) in a confined cell for high-performance phase-change random access memory (PRAM). Due to the fast crystallization of GBT, we were able to reduce the speed to less than 26 ns while maintaining endurance characteristics up to 109 cycles. Our r...

참고문헌 (15)

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