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NTIS 바로가기Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.11 no.5, 2011년, pp.1253 - 1256
Kim, T.S. (Display Lab., Samsung Advanced Institute of Technology, Mt. 14-1, Nongseo-Dong, Giheung-Gu, Yongin-Si, Gyeonggi-Do 446-712, Republic of Korea) , Park, J.S. , Son, K.S. , Jung, J.S. , Lee, K.H. , Maeng, W.J. , Kim, H.S. , Kwon, J.Y. , Koo, B. , Lee, S.
The fabrication and electrical characteristics of transparent hafnium-indium-zinc oxide (HIZO) thin film transistors (TFTs) are presented in detail. The devices incorporate an etch stopper structure, which may consist of either a single SiOx layer deposited by plasma enhanced chemical va...
IEEE Electron. Device Lett. Kwon 29 1309 2008 10.1109/LED.2008.2006637
10.1889/1.3069740 J.H. Lee, D.H. Kim, D.J. Yang, S.Y. Hong, K.S. Yoon, P.S. Hong, C.O. Jeong, H.S. Park, S.Y. Kim, S.K. Lim, S.S. Kim. In: Proceedings of the Society for Information Display, 2008, p. 625.
C.J. Kim, D. Kang, I. Song, J.C. Park, H. Lim, S. Kim, E. Lee, R. Chung, J.C. Lee, Y. Park. In: Proceedings of the IEEE International Electron Devices Meeting, 2006, p. 307.
Electrochem. Solid-State Lett. Park 11 H10 2008 10.1149/1.2801017
10.1889/1.3069741 S.H.K. Park, M. Ryu, C.S. Hwang, S. Yang, C. Byun, J.I. Lee, J. Shin, S.M. Yoon, H.Y. Chu, K.I. Cho. In Proceedings of the Society for Information Display, 2008, p. 629.
Appl. Phys. Lett. Kim 95 252103 2009 10.1063/1.3275801
Electrochem. Solid-State Lett. Son 12 H26 2009 10.1149/1.3020766
Thin Solid Films Ito 496 99 2006 10.1016/j.tsf.2005.08.257
Electrochem. Solid-State Lett. Jung 13 H376 2010 10.1149/1.3481710
J. Vacuum Sci. Technol. B Hong 23 L25 2005 10.1116/1.2127954
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