최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.33 no.7B, 1994년, pp.4438 - 4441
Nakamura, Keiji , Imura, Tomonori , Sugai, Hideo , Ohkubo, Michiko , Ichihara, Katsutaro
The dry etching of indium-tin-oxide (ITO) films using a high-density inductively coupled rf plasma is described. Various etching characteristics are examined for an etching gas of CH4/H2 mixture. A very high etching rate of ITO films of over 200 nm/min was obtained at 100% CH4, while the high etchin...
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.