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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.37 no.4A, 1998년, pp.1768 - 1771
Youn, Doo–Hyeb , Hao, Maosheng , Sato, Hisao , Sugahara, Tomoya , Naoi, Yoshiki , Sakai, Shiro
Investigations of the new metal scheme for ohmic contact to p-GaN have been carried out. The specific contact resistance was measured to be ρ c=3.6× 10-3 Ω cm2 which is the lowest value ever reported for moderately doped p-GaN (4.4× 1017/cm3). All metals were deposited on metal...
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