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NTIS 바로가기Thin solid films, v.546, 2013년, pp.31 - 34
Choi, D.w. , Chung, K.B. , Park, J.S.
Ga2O3 atomic layer deposition (ALD) was carried out using gallium tri-isopropoxide (GTIP) as a gallium source and H2O as an oxygen source at a low temperature (150oC). The Ga2O3 ALD films show amorphous, smooth, and transparent behavior. The growth behavior and a variety of optical, structural, and ...
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