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NTIS 바로가기Materials science in semiconductor processing, v.16 no.6, 2013년, pp.1977 - 1981
Mehrad, M. , Orouji, A.A.
A novel U-shape buried oxide lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) is reported in this paper. The proposed structure features ionized charges in both sides of dielectric between source and gate region to enhance the breakdown voltage. The dielectric between drain and drift region...
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