[논문]Low power resistive random access memory using interface-engineered dielectric stack of SiOx/a-Si/TiOy with 1D1R-like structure

Cheng, C.H.; Chou, K.I.; Zheng, Z.W.; Hsu, H.H.

doi:10.1016/j.cap.2013.10.019

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[국내논문] Low power resistive random access memory using interface-engineered dielectric stack of SiOx/a-Si/TiOy with 1D1R-like structure

Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.14 no.1, 2014년, pp.139 - 143

Cheng, C.H. , Chou, K.I. , Zheng, Z.W. , Hsu, H.H.

Abstract ▼ AI-Helper

In this study, we report a resistive random access memory (RRAM) using trilayer SiOx/a-Si/TiOy film structure. The low switching energy of <10 pJ, highly uniform current distribution (<13% variation), fast 50-ns speed and stable cycling endurance for 106 cycles are simultaneously achieved in this RRAM device. Such good performance can be ascribed to the use of interface-engineered dielectric stack with 1D1R-like structure. The SiOx tunnel barrier in contact with top Ni electrode to form diode-like rectifying element not only lowers self-compliance switching currents, but also improves cycling endurance, which is favorable for the application of high-density 3D memory.

주제어

참고문헌 (19)

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IEEE Electron Device Lett. Chou 34 505 2013 10.1109/LED.2013.2243814

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IEEE Electron Device Lett. Cheng 8 845 2008 10.1109/LED.2008.2000833

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