[논문]Silicon-compatible high-hole-mobility transistor with an undoped germanium channel for low-power application

Cho, Seongjae; Man Kang, In; Rok Kim, Kyung; Park, Byung-Gook; Harris Jr., James S.

doi:10.1063/1.4833295

Silicon-compatible high-hole-mobility transistor with an undoped germanium channel for low-power application 원문보기

Applied physics letters, v.103 no.22, 2013년, pp.222102 -

Cho, Seongjae (Department of Electronic Engineering, Gachon University 1 , Gyeonggi-do 461-701, South Korea) , Man Kang, In (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University 2 , Daegu 702-701, South Korea) , Rok Kim, Kyung (School of Electrical and Computer Engineering, Ulsan National Institute of Science and Technology 3 , Ulsan 689-798, South Korea) , Park, Byung-Gook (Inter-university Semiconductor Research Center (ISRC) and Department of Electrical and Computer Engineering 4 , , Seoul 151-742, South Korea) , Harris Jr., James S. (Department of Electrical Engineering, Stanford University 5 , Stanford, California 94305, USA)

Abstract ▼ AI-Helper

In this work, Ge-based high-hole-mobility transistor with Si compatibility is designed, and its performance is evaluated. A 2-dimensional hole gas is effectively constructed by a AlGaAs/Ge/Si heterojunction with a sufficiently large valence band offset. Moreover, an intrinsic Ge channel is exploited so that high hole mobility is preserved without dopant scattering. Effects of design parameters such as gate length, Ge channel thickness, and aluminum fraction in the barrier material on device characteristics are thoroughly investigated through device simulations. A high on-current above 30 μA/μm along with a low subthreshold swing was obtained from an optimized planar device for low-power applications.

참고문헌 (29)

Physics of Semiconductor Devices 2nd ed. 13 1981
IEEE Electron Device Lett. 12 444 1991 10.1109/55.119160

상세보기
Mater. Today 11 30 2008 10.1016/S1369-7021(07)70350-4

상세보기
Nature 437 1334 2005 10.1038/nature04204

상세보기
IEEE Photonics Technol. Lett. 19 1631 2007 10.1109/LPT.2007.904929

상세보기
Opt. Express 20 14921 2012 10.1364/OE.20.014921

상세보기
Germanium-Based Technologies: From Materials to Devices 368 2007
Phys. Rev. B 54 R11118 1996 10.1103/PhysRevB.54.R11118

상세보기
Proceedings of the 5th Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Spencer 155 1994 Institute of Physics Conference Series Vol. 137
IEEE Trans. Electron Devices 56 499 2009 10.1109/TED.2008.2011724

상세보기
IEEE Trans. Electron Devices 60 1334 2013 10.1109/TED.2013.2247766

상세보기
Appl. Phys. Lett. 6 225 1965 10.1063/1.1754145

상세보기
Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2004 307 10.1109/IEDM.2004.1419140
Proceedings of 2012 International Silicon-Germanium Technology and Device Meeting (ISTDM), Berkeley, USA, 4-6 June 2012 1 2012
Appl. Phys. Lett. 102 142906 2013 10.1063/1.4800228

상세보기
2013
Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and HFETs/HEMTs 330 1999
Class Notes from EE327 Properties of Semiconductor Materials 2013
Proceedings of 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), College Park, USA, 7-9 December 2011 1 2011
Appl. Phys. Lett. 99 243505 2011 10.1063/1.3670325

상세보기
A. Nayfeh, “Heteroepitaxial Growth of Relaxed Germanium on Silicon,” Ph.D. dissertation (Stanford University, 2006).
2011
Nanoelectronic Devices 228 2012
Microelectron. J. 40 769 2009 10.1016/j.mejo.2008.11.011

상세보기
IEEE Electron Device Lett. 21 245 2000 10.1109/55.841310

상세보기
J. Semicond. Technol. Sci. 12 230 2012 10.5573/JSTS.2012.12.2.230

원문보기 상세보기
J. Semicond. Technol. Sci. 12 360 2012 10.5573/JSTS.2012.12.3.360

원문보기 상세보기
Appl. Phys. Lett. 94 053511 2009 10.1063/1.3079411

상세보기
Appl. Phys. Lett. 103 063506 2013 10.1063/1.4817997

상세보기

LOADING...

원문 보기

AccessON 원문보기

원문 URL 링크

DOI : 10.1063/1.4833295
EBSCOhost-Academic Search Premier : 저널
American Institute of Physics : 저널 > 논문
EBSCOHost-Academic Search Elite : 저널
AccessON : 저널

*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.

오픈액세스(OA) 유형

GOLD(Hybrid)

저자가 APC(Article Processing Charge)를 지불한 논문에 한하여 자유로운 이용이 가능한, hybrid 저널에 출판된 논문

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

[논문] Improvement of Carrier Mobility on Silicon-Germanium on Insulator MOSFET Devices with a Strained-Si Layer

저작권 관리 안내

내보내기 메뉴

내보내기 구분

파일저장
인쇄
메일전송

구성항목

기본정보
상세정보

관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관

저장형식

Text(ASCII format)
Excel format
RefWorks Direct Export
RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley

메일정보

받는사람 (필수): @
보내는사람 (선택): @
제목
내용: KISTI 검색결과 이메일 서비스

안내

총 건의 자료가 검색되었습니다.

다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000)

검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다.

데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요)

다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다.
파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오.

Text(ASCII format)
Excel format

표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

AI-Helper ※ AI-Helper는 을 사용합니다.

AI-Helper

안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

연합인증