[논문]The effects of buffer layers on the performance and stability of flexible InGaZnO thin film transistors on polyimide substrates

Ok, Kyung-Chul; Ko Park, Sang-Hee; Hwang, Chi-Sun; Kim, H.; Soo Shin, Hyun; Bae, Jonguk; Park, Jin-Seong

doi:10.1063/1.4864617

[해외논문] The effects of buffer layers on the performance and stability of flexible InGaZnO thin film transistors on polyimide substrates

Applied physics letters, v.104 no.6, 2014년, pp.063508 -

Ok, Kyung-Chul (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University 1 , 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, South Korea) , Ko Park, Sang-Hee (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology 2 , 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea) , Hwang, Chi-Sun (Transparent Electronics Team, ETRI 3 , Daejeon 305-350, South Korea) , Kim, H. (Department of Materials Science and Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology 2 , 291 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, South Korea) , Soo Shin, Hyun (LG Display R&D Center, LG Display Co., Ltd. 4 , Paju 413-811, South Korea) , Bae, Jonguk (LG Display R&D Center, LG Display Co., Ltd. 4 , Paju 413-811, South Korea) , Park, Jin-Seong (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University 1 , 222, Wangsimni-ro, Seongdong-gu, Seoul 133-791, South Korea)

Abstract ▼ AI-Helper

We demonstrated the fabrication of flexible amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors (TFTs) on high-temperature polyimide (PI) substrates, which were debonded from the carrier glass after TFT fabrication. The application of appropriate buffer layers on the PI substrates affected the TFT performance and stability. The adoption of the SiNx/AlOx buffer layers as water and hydrogen diffusion barriers significantly improved the device performance and stability against the thermal annealing and negative bias stress, compared to single SiNx or SiOx buffer layers. The substrates could be bent down to a radius of curvature of 15 mm and the devices remained normally functional.

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