[논문]Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by halide vapor phase epitaxy

Oshima, Y.; V@?llora, E.G.; Shimamura, K.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.10.038

[해외논문] Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0001) substrates by halide vapor phase epitaxy

Journal of crystal growth, v.410, 2015년, pp.53 - 58

Oshima, Y. , V@?llora, E.G. , Shimamura, K.

Abstract ▼ AI-Helper

We demonstrate the high-speed growth of β-Ga2O3 quasi-heteroepilayers on off-angled sapphire (0001) substrates by halide vapor phase epitaxy (HVPE). (2@?01) oriented β-Ga2O3 layers were successfully grown using GaCl and O2 as source gases. The growth rate monotonically increased with increasing the partial pressures of the source gases, reaching over 250μm/h. This rate is over two orders of magnitude larger than those of conventional vapor phase epitaxial growth techniques such as molecular beam epitaxy or metalorganic vapor phase epitaxy. X-ray pole figure measurements indicated the presence of six in-plane rotational domains, in accordance with the substrate symmetry, plus some minor (310) domains. By the use of off-angled substrates and thick layer overgrowth, one of the in-plane orientations was strongly favored and the (310) residuals effectively suppressed, so that quasi-heteroepitaxial growth was achieved. Therefore, these results indicate the high-potential of the HVPE technique for the growth of thick and thin β-Ga2O3 layers for the cost-effective production of β-Ga2O3 based devices.

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