[논문]Influence of Fringe Field on Nano-Electromechanical (NEM) Memory Cells

Boram Han; Ji Yong Song; Woo Young Choi

doi:10.1109/TNANO.2013.2294892

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[해외논문] Influence of Fringe Field on Nano-Electromechanical (NEM) Memory Cells

IEEE transactions on nanotechnology, v.13 no.6, 2014년, pp.1102 - 1106

Boram Han (Dept. of Electron. Eng., Sogang Univ., Seoul, South Korea) , Ji Yong Song (Dept. of Electron. Eng., Sogang Univ., Seoul, South Korea) , Woo Young Choi (Dept. of Electron. Eng., Sogang Univ., Seoul, South Korea)

Abstract ▼ AI-Helper

The influence of fringe field on nano-electro-mechanical (NEM) memory cells has been investigated. Because fringe field effects become stronger with cells scaling down, it becomes more difficult to predict the characteristics of small-sized NEM memory cells accurately. In this paper, fringe field effects have been included into a finite-element model. The dependence of fringe field effects on cell parameters has also been evaluated.

참고문헌 (13)

0
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Nagami, Tasuku, Tsuchiya, Yoshishige, Uchida, Ken, Mizuta, Hiroshi, Oda, Shunri. Scaling Analysis of Nanoelectromechanical Memory Devices. Japanese journal of applied physics, vol.49, no.r4, 044304-.

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Jubong Park, Minseok Jo, Joonmyoung Lee, Seungjae Jung, Seonghyun Kim, Wootae Lee, Jungho Shin, Hyunsang Hwang. Improved Switching Uniformity and Speed in Filament-Type RRAM Using Lightning Rod Effect. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.32, no.1, 63-65.

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