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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.12 no.7, 2012년, pp.5494 - 5499
Lee, Jaesan , Kim, Hyungchul , Park, Taeyong , Ko, Youngbin , Jeon, Heeyoung , Park, Jingyu , Ryu, Jaehun , Jeonl, Hyeongtag
Al2O3 films were deposited by a remote plasma atomic layer deposition (RPALD) method at room temperature (25 degrees C) in a reactor using alternating exposures of Al(CH3)3 and O2 plasma. Oxygen plasma was used as a reactant gas to decompose the trimethylaluminum [TMA, Al(CH3)3] precursor at room te...
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