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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.15 no.10, 2015년, pp.8340 - 8347
Lee, Junmyung , Efremov, Alexander , Yeom, Geun Young , Lim, Nomin , Kwon, Kwang-Ho
An investigation of the etching characteristics and mechanism for both Si and SiO2 in CF4/C4F8/Ar inductively coupled plasmas under a constant gas pressure (4 mTorr), total gas flow rate (40 sccm), input power (800 W), and bias power (150 W) was performed. It was found that the variations in the CF4...
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