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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics, v.55 no.10, 2016년, pp.106201 -
Lee, Jongchan , Efremov, Alexander , Kim, Kwangsoo , Kwon, Kwang-Ho
AbstractThis study investigated the etching characteristics and mechanisms of SiC, Si, and SiO2 in CF4/CH2F2/N2/Ar inductively-coupled plasmas. The investigation showed that a change in the CF4/CH2F2 mixing ratio at fixed N2 and Ar fractions in a feed gas causes a decrease in the etching rates of Si...
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