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Etching characteristics of SiC, SiO2, and Si in CF4/CH2F2/N2/Ar inductively coupled plasma: Effect of CF4/CH2F2 mixing ratio
Japanese journal of applied physics, v.55 no.10, 2016년, pp.106201 -
Lee, Jongchan , Efremov, Alexander , Kim, Kwangsoo , Kwon, Kwang-Ho
Abstract
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AbstractThis study investigated the etching characteristics and mechanisms of SiC, Si, and SiO2 in CF4/CH2F2/N2/Ar inductively-coupled plasmas. The investigation showed that a change in the CF4/CH2F2 mixing ratio at fixed N2 and Ar fractions in a feed gas causes a decrease in the etching rates of Si...
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- DOI : 10.7567/JJAP.55.106201
- Institute of Physics : 저널 > 논문
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