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[국내논문] Effect of thermal annealing sequence on the crystal phase of HfO2 and charge trap property of Al2O3/HfO2/SiO2 stacks
Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.17 no.10, 2017년, pp.1361 - 1366
Na, H. , Jeong, J. , Lee, J. , Shin, H. , Lee, S. , Sohn, H.
Abstract
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In this study, we investigated the effect of a post annealing sequence on the HfO2 crystal phase and the memory window of charge trap devices with TiN-Al2O3-HfO2-SiO2-Si stacks. The charge trap dielectrics of HfO2 were deposited by atomic layer deposition and were annealed in an oxygen environment w...
주제어
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- DOI : 10.1016/j.cap.2017.07.006
- Elsevier : 저널 > 논문
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- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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