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Quasi atomic layer etching of SiO2 using plasma fluorination for surface cleaning
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, v.36 no.1, 2018년, pp.01B106 -
Koh, Kyongbeom (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU) , Suwon 16419, Republic of Korea) , Kim, Yongjae (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU) , Suwon 16419, Republic of Korea) , Kim, Chang-Koo (Department of Chemical Engineering and Department of Energy Systems Research, Ajou University , Suwon 16499, Republic of Korea) , Chae, Heeyeop (School of Chemical Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU) , Suwon 16419, Republic of Korea and , Suwon 16419, Republic of Korea)
Abstract
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In this work, quasi atomic layer etching process using surface fluorination was investigated for native oxide (SiO2) cleaning with CHF3, O2, and Ar in inductively coupled plasmas. SiO2 surface was fluorinated by fluorocarbon radicals generated from CHF3 plasma in the first step. In the following ste...
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