[논문]Surface Rippling & Ion Etch Yields of Diamond Using a Focused Ion Beam: With or Without Enhanced-Chemistry, Aspect Ratio Regulates Ion Etching

MoberlyChan, W J; Felter, T E; Wall, M A

doi:10.1017/s1551929500058855

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Surface Rippling & Ion Etch Yields of Diamond Using a Focused Ion Beam: With or Without Enhanced-Chemistry, Aspect Ratio Regulates Ion Etching 원문보기

Microscopy today, v.14 no.6, 2006년, pp.28 - 35

MoberlyChan, W J (Lawrence Livermore National Lab. , Livermore, CA) , Felter, T E (Lawrence Livermore National Lab. , Livermore, CA) , Wall, M A (Lawrence Livermore National Lab. , Livermore, CA)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe Focused Ion Beam (FIB) instrument, originally designed for semiconductor circuit modification and repair, has found considerable utility as a tool for specimen preparation in several microscopy disciplines and for micromachining small parts. Essentially, a FIB makes very small and precise cuts into a target sample, which implies well-controlled etch rates and close tolerances of surface finish. However, redeposition can affect etch rate and final surface topographies. This work quantifies this redeposition as it modifies yields for different parameters of etching; models the influence of redeposition as applicable to all ion beam processing; and optimizes FIB processing parameters for enhanced yields.

참고문헌 (10)

J. Vac. Sci. Tech. B Russell 16 4 2494 1998 10.1116/1.590197 Chemically and geometrically enhanced focused ion beam micromachining

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J. Vac. Sci. Tech. B Adams 21 6 2334 2003 10.1116/1.1619421 Focused ion beam milling of diamond: Effects of H2O on yield, surface morphology and microstructure

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Fusion Engin. And Design Brooks 60 515 2002 10.1016/S0920-3796(02)00007-8 Modeling of sputtering erosion/redeposition - status and implications for fusion design

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J. Vac. Sci. Tech. A Bradley 6 4 2390 1988 10.1116/1.575561 Theory of ripple topography induced by ion bombardment

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Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Cuenat 696 6 2002 Spontaneous pattern formation from focused and unfocused ion beam irradiation
Phys. Rev. Lettrs. Brown 95 5 2005 Transient Topographies of Ion Patterned Si(111)
J. Vac. Sci. Tech. A Mayer 23 6 1579 2005 10.1116/1.2110386 Morphology evolution on diamond surfaces during on sputtering

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Phys. Rev. Lettrs. Vazquez 95 1 05 2005 Self-Organized Ordering of Nanostructures Produced by ion-Beam Sputtering
Appl. Phys. Lett. Makeev 71 19 2800 1997 10.1063/1.120140 Ion-induced effective surface diffusion in ion sputtering

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J. Matls. Sci. Sigmund 8 1545 1973 10.1007/BF00754888 A Mechanism of Surface Micro-Roughening by Ion Bombardment

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