[논문]Characterization of Tungsten Silicides Formed by Rapid Thermal Annealing.

Siegal, M.; Santiago, J. J.; Van der Spiegel, J.

doi:10.1557/PROC-52-289

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[해외논문] Characterization of Tungsten Silicides Formed by Rapid Thermal Annealing.

Materials Research Society symposia proceedings, v.52, 1985년, pp.289 -

Siegal, M. , Santiago, J. J. , Van der Spiegel, J.

Abstract ▼ AI-Helper

ABSTRACTTungsten silicide samples were formed by sputter depositing 80 nm W metal onto (100) oriented, 5 ohm-cm Si wafers. After deposition, the samples were fast radiatively processed in an RTA system using quartz-halogen tungsten lamps as radiation sources for time intervals ranging from 20 to 60s under high vacuum. Films processed at 22-25 W/cm2 radiation with the film side of the samples oriented away from the lamps result in films which are metallic or cloudy in color, and have mixed composition as evidenced by x-ray diffraction (W, W5 Si3 and WSi2). Films processed with the film side oriented toward the lamps show the occurrence of a phase transforF.ation clearly nucleated at the film edge. The new phase is grey and mostly composed of WSi2, with film resistivities 55-60 μΩ-cm. AES measurements show a uniformly distributed Si diffusion profile into the metal film, while SEM indicates a nucleation and growth of the phase once diffusion occurs.

참고문헌 (8)

Silicides for VLSI Applications 8 1983 Murarka
6. d'Heurle F.M. and Hogskolan K.T. , Research Report, IBM RC10422 (1983).
Göltz, G., Torres, J., Lajzerowicz Jr., J., Bomchil Jr., G.. Formation and characterization of tungsten silicide layers. Thin solid films, vol.124, no.1, 19-26.

상세보기
Tsaur, B-Y., Chen, C. K., Anderson Jr., C. H., Kwong, D. L.. Selective tungsten silicide formation by ion-beam mixing and rapid thermal annealing. Journal of applied physics, vol.57, no.6, 1890-1894.

상세보기
7. Van der Spiegel J. , Wei C.S. , Santiago J.J. , Taniellian M. and Blackstone S. , Presented at the 1985 MRS Fall Meeting, Boston, Mass. 1985 (unpublished).
Wei, C.S., Van Der Spiegel, J., Santiago, J., Seiberling, L.E.. Transient Processing of Titanium Silicides in a Non-Isothermal Reactor. Materials Research Society symposia proceedings, vol.35, 465-.

상세보기
Santiago, J.J., Wei, C.S., Van Der Spiegel, J.. Fast radiative processing of titanium silicides under vacuum. Materials letters, vol.2, no.6, 477-482.

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Li, B. Z., Aitken, R. G.. Electrical transport properties of tungsten silicide thin films. Applied physics letters, vol.46, no.4, 401-403.

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