[논문]Characterization of lattice parameters gradient of Cu(In1-x Ga x )Se2 absorbing layer in thin-film solar cell by glancing incidence X-ray diffraction technique

Kim, Yong-Il; Kim, Ki-Bok; Kim, Miso

doi:10.1016/j.jmst.2020.04.004

[해외논문] Characterization of lattice parameters gradient of Cu(In1-x Ga x )Se2 absorbing layer in thin-film solar cell by glancing incidence X-ray diffraction technique

Journal of materials science & technology, v.51, 2020년, pp.193 - 201

Kim, Yong-Il (Department of Nano Science, University of Science and Technology) , Kim, Ki-Bok (Korea Research Institute of Standards and Science) , Kim, Miso (Korea Research Institute of Standards and Science)

Abstract ▼ AI-Helper

Abstract In or Ga gradients in the Cu(In1-xGax)Se2 (CIGS) absorbing layer lead to change the lattice parameters of the absorbing layer, giving rise to the bandgap grading in the absorbing layer which is directly associated with the degree of absorbing ability of the CIGS solar cell. We tried to characterize the depth profile of the lattice parameters of the CIGS absorbing layer using a glancing incidence X-ray diffraction (GIXRD) technique, and then investigate the bandgap grading of the CIGS absorbing layer. When the glancing incident angle increased from 0.50 to 5.00°, the a and c lattice parameters of the CIGS absorbing layer gradually decreased from 5.7776(3) to 5.6905(2) Å, and 11.3917(3) to 11.2114(2) Å, respectively. The depth profile of the lattice parameters as a function of the incident angle was consistent with vertical variation in the compositionof In or Ga with depth in the absorbing layer. The variation of the lattice parameters was due to the difference between the ionic radius of In and Ga co-occupying at the same crystallographic site. According to the results of the depth profile of the refined parameters using GIXRD data, the bandgap of the CIGS absorber layer was graded over a range of 1.222–1.532 eV. This approach allows to determine the In or Ga gradients in the CIGS absorbing layer, and to nondestructively guess the bandgap depth profile through the refinement of the lattice parameters using GIXRD data on the assumption that the changes of the lattice parameters or unit-cell volume follow a good approximation to Vegard’s law.

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표제어: PCR

동의어: Packet Collision Rate

용어 설명 출처 목록 (6)

용어 설명: PCR은 세균 특이성이 있는 primer를 이용하여 적은 수의 세균이 있을지라도 쉽게 검출할 수 있는 유용한 방법이며, 이를 이용하여 구강 내 치면세균막이나 타액에서 직접 세균을 검출할 수 있게 되었다[8].

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