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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집, 1999 May 01, 1999년, pp.497 - 500
이원상 (LG 종합기술원 소자재연구원 RF device 그룹) , 정기웅 (LG 종합기술원 소자재연구원 RF device 그룹) , 문동찬 (광운대학교 전자재료학과) , 신무환 (명지대학교 세라믹공학과 반도체재료)
This paper reports on the fabrication and characteristics of recessed gate GaN MESFETs fabricated using a photoelectrochemical wet etching method. The unique etching process utilizes photo-resistive mask and KOH based etchant. GaN MESFETs with successfully recessed gate structure was characterized i...
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