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STI 구조에서 발생하는 MOSFET Hump 특성에 관한 연구
A Study On MOSFET Hump Characteristics with STI Structures 원문보기

98 가을 학술발표논문집(Ⅱ), 2000 Apr., 2000년, pp.674 - 676  

이용희 (LG 반도체) ,  정상범 (청주대학교) ,  이천희 (청주대학교)

초록
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소자가 sub-quarter um급으로 축소됨에 따라 STI(Shallow Trench Isolation) 기술은 고 집적도의 ULSI 구현에 있어서 중요한 격리 방법으로 많이 사용되고 있다. 현재의 STI 기술은 주로 실리콘 기판을 식각 후 절연물질로 빈 공백이 없이 채우는 (void-free gap filling) 방법 [1,2]과 절연물질을 다시 표면 근처까지 CMP(Chemical Mechnical Polishing)로 etchback하여 평탄화를 하는 방법이 주요한 기술이 되고 있다. 또한 STI 구조로된 격리구조에서 만들어진 MOSFET의 전기적인 특성은 트랜치 격리의 상부 부분의 형태와 gap-filling 물질에 따라 큰 영향을 받게된다. 따라서 본 논문에서는 STI 구조로 만들어진 격리 구조에서 MOSFET의 hump 특성에 관해 연구하였다. 그 결과 hump는 STI 모서리에서 필드 옥사이드의 recess에 의한 모서리 부분에서의 전계 집중과 boron의 segration에 기인한 농도 감소로 인해 hump가 발생하는 것으로 나타났다.

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