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NTIS 바로가기대한전기학회 1988년도 전기.전자공학 학술대회 논문집, 1988 July 01, 1988년, pp.375 - 378
권경섭 (중앙대학교 전자공학과) , 이범학 (중앙대학교 전자공학과) , 황호정 (중앙대학교 전자공학과)
In this paper a newly designed rapid thermal process (RTP) structure is proposed to the slip induced in silicon wafers considerably. The reflectors and a graphite radiation were used to compensate the temperature difference causing slip in silicon wafers. From our experiments it is known that slip c...
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