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NTIS 바로가기대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C, 1997 July 21, 1997년, pp.1270 - 1273
김종관 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) , 김인수 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) , 김영호 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) , 신상우 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.) , 성영권 (고려대학교 전기공학과 Laser & Plasma CVD Lab.)
We have investigated the latchup characteristics of BL/BILLI retrograde twin well CMOS that has the high energy ion implanted buried layer to intend for more improvement of latchup compare to conventional retrograde well and BILLI structures. We explored the dependence of various latchup characteris...
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