[논문]Selective Chemical Vapor Deposition of <tex> $\\beta$</tex>-SiC on Si Substrate Using Hexamethyldisilane/HCl/<tex> $H_2$</tex> Gas System

Yang, Won-Jae; Kim, Seong-Jin; Chung, Yong-Sun; Auh, Keun-Ho

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[국내논문] Selective Chemical Vapor Deposition of $\\beta$-SiC on Si Substrate Using Hexamethyldisilane/HCl/ $H_2$ Gas System 원문보기

한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 15TH KACG TECHNICAL MEETING-PACIFIC RIM 3 SATELLITE SYMPOSIUM SESSION 4, HOTEL HYUNDAI, KYONGJU, SEPTEMBER 20-23, 1998, 1998 Sept. 01, 1998년, pp.91 - 95

Yang, Won-Jae (Department of Ceramic Engineering, Hanyang University) , Kim, Seong-Jin (Samsung Advanced Institute of Technology) , Chung, Yong-Sun (Ceramic Processing Research Center, Hanyang University) , Auh, Keun-Ho (Ceramic Processing Research Center, Hanyang University)

Abstract ▼ AI-Helper

Selectivity of SiC deposition on a Si substrate partially covered with a masking material was investigated by introducing HCl gas into hexamethyldisilane/H2 gas system during the deposition. the schedule of the precursor and HCl gas flows was modified so that the selectivity of SiC deposition between a Si substrate and a mask material should be improved. It was confirmed that the selectivity of SiC deposition was improved by introducing HCl gas. Also, the pulse gas flow technique was effective to enhance the selectivity.

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