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HTL/ETL 두께 비율에 따른 EL 소자의 발광 특성
Light-emitting property of the EL device with the thickness ratio of the HTL.ETL 원문보기

한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집, 2000 Nov. 01, 2000년, pp.170 - 173  

손철호 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과) ,  여철호 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과) ,  박정일 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과) ,  장선주 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과) ,  박종화 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과) ,  이영종 (여주대학 전자공학과) ,  정홍배 (광운대학교 전자,정보통신공학부 전자재료공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, we have investigated the light-emitting property of the EL device with the thickness ratio of the HTL/ETL, which was 500$\AA$:500$\AA$, 400$\AA$:600$\AA$, 600$\AA$:400$\AA$. The ALq$_3$ was used for the E...

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제안 방법

  • 5:5. 6:4로 하여 전체 두께가 1000A인 소자의 특성을 조사 하였다.
  • HTL(Hole Transport layer, 정공수송층)으로 TPD(N, N, -diphenyI-N, N, -bis(3-methylphenyl)_ ] , 1' -biphenyl-4, 4' -diamine)를 사용하였으며, ETLCElectron Transport layer, 전자수송층)으로써 Alq3(8-hydroxyquinoline aluminumX 사용하고, 상부 전극으로 순도 5N의 A1 를 진공열층 착법을 이용하여 진공도 IxlO^Torr 에서 제작하였다. TPD의 경우 3A/sec, Alq3의 경우 L5A/sec의 속도로 각각의 샘플은 상부 전극인 A1 은 크기는 2.
  • 두께별 특성 비교를 위한 소자의 제작으로 HTL 과 ETL층의 두께를 400A/600A, 500A/500A, 600A/400A의 비율로 각각 제작하였다. 또한 두께는 N&K Analyzer(NKT1200)을 이용하여 측정 하였다.
  • 본 연구는 HTL과 ETL 의 전체 두께를 각각 400A/600A, 500A/500A, 600A/400A의 두께로 하여 두께에 따른 OELD에서의 발광휘도와 발과 효율과 전류 밀도와 인가전압의 의존성을 조사하 였다
  • 본 연구는 이중층 유기 EL 소자에서 전자수송층과 정공수송층의 두께비를 각각 4:6. 5:5.
  • 산화막의 유무에 관한 특성 비교를 위한 소자의 제작으로 동일한 두께의 HTL, ETL로 각각의 층의 제작시에 산화막이 없는 연속 증착을 하였고, 각각의 층의 제작시에 측정을 위한 산화막으로 불연속 제작을 하였다.
  • 소자의 제작은 HTL과 ETL 의 전체 두께를 1000A로 하여 각각의 두께를 변화시켰다. 정공운송층으로는 TPD를 사용하였으며, 각각 400A, 500A, 600A의 두께로 하였다.

대상 데이터

  • 두께별 특성 비교를 위한 소자의 제작으로 HTL 과 ETL층의 두께를 400A/600A, 500A/500A, 600A/400A의 비율로 각각 제작하였다. 또한 두께는 N&K Analyzer(NKT1200)을 이용하여 측정 하였다.
  • 본 연구에서 제작된 유기 EL 소자는 ITO(S40SL, 1500A, 15Q/匚투과율 85% 이상)을 하부 전극의 기판으로 하였다.
  • 정공운송층으로는 TPD를 사용하였으며, 각각 400A, 500A, 600A의 두께로 하였다. 전자운송층으로는 Alq3를 사용하였으며, 발광층의 역할로서 각각 600A, 500A, 400A의 두께로 하였다.
  • 소자의 제작은 HTL과 ETL 의 전체 두께를 1000A로 하여 각각의 두께를 변화시켰다. 정공운송층으로는 TPD를 사용하였으며, 각각 400A, 500A, 600A의 두께로 하였다. 전자운송층으로는 Alq3를 사용하였으며, 발광층의 역할로서 각각 600A, 500A, 400A의 두께로 하였다.
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