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NTIS 바로가기한국전기전자재료학회 1997년도 추계학술대회 논문집, 1997 Nov. 01, 1997년, pp.266 - 269
진교원 (수원대학교 전자재료공학과) , 박태성 (수원대학교 전자재료공학과) , 이제혁 (수원대학교 전자재료공학과) , 백희원 (수원대학교 전자재료공학과) , 변문기 (수원대학교 전자재료공학과) , 김영호 (수원대학교 전자재료공학과)
Hot carrier effects as a function of bias stress time and bias stress conditions were syste-matica1ly investigated in p-channel po1y-Si TFT's fabricated on the quartz substrate. The device degradation was observed for the negative bias stress. After positive bias stressing, Improvement of electrica...
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