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반도체 플라즈마 용융장치용 고출력 능동 클램프 ZVS 플라이백 컨버터 설계에 관한 연구
A Study on the Design of the High Power Active Clamp ZVS Flyback Converter for Semiconductor Plasma Etching System 원문보기

전력전자학회 2000년도 전력전자학술대회 논문집, 2000 July 01, 2000년, pp.400 - 403  

이우석 (성균관대학교)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper deals with the active clamp ZVS flyback converter for semiconductor plasma etching system. The proposed converter has the characteristics of the good power facter low switching noise and efficiency improvement. The characteristics are verified through simulation results. Furthermore the r...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 이러한 문제점을 해결하기 위하여 소 프트 스위칭 방식을 이용한 영전압 스위칭 방식의 여러 토폴로지의 컨버터들이 제안되고 있다.[4] 본 논문에서는 반도체의 플라즈마 용융장치에 고출력 능동 클램프 영전압 스위칭 PWM 플라이백 컨버터를 사용할려고 한다. 능동 클램프 기법은 기존의 PWM 방식에 비해 기 생성분의 공진으로 전압 스트레스를 줄일 수 있고 영전 압 스위칭을 가능하게 하여 스위칭 손실을 줄인다.

가설 설정

  • 1) 을 수행하였 다. 본 논문에서는 PSIM Ver 4.1 을 통한 결과를 실었디l 각부 파형을 정확하게 관찰하고자 입력전 압은 AC U0V에서 정류기를 거쳐 DC Link 단에 먁 DC 15CV가 걸린다고 가정하여 시율리이선을 수행하였다. 누설 인덕턴스는 위의 영전압공진 조건에 따라, 기생 캐피시턴스(IRF450의 경우 5uF, 成 렬연결 10uF) 의 값과 자화인턱턴스의 5%에서 10%정도의 값인 7uH로 정하였다.
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