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NTIS 바로가기대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(1), 2002 June 01, 2002년, pp.423 - 426
장철영 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 박민정 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 정은자 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 고성용 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 최현철 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 이정희 (경북대학교 대학원 전자공학과) , 이용현 (경북대학교 대학원 전자공학과)
Undoped-GaN thin film is deposited on Sapphire substrate by MOCVD. SAW velocity is measured with tile center frequency by HP8753C. Center frequency is 266.52 MHz and SAW velocity is 5330㎧ when wavelength was 20 Um. insertion loss, Q factor and side love attenuation is 41.265 dB, 257.41 and ov...
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